Los dispositivos de protecci\u00f3n contra sobretensiones (DPS) son componentes de frontera: en r\u00e9gimen normal deben ser casi invisibles para la instalaci\u00f3n; durante un transitorio deben cambiar de estado en microsegundos, conducir corrientes elevadas y limitar la tensi\u00f3n aplicada al equipo protegido. Esta aparente simplicidad oculta mecanismos f\u00edsicos diferentes: arco el\u00e9ctrico en descargadores, ionizaci\u00f3n en tubos de descarga a gas, conducci\u00f3n no lineal en varistores de \u00f3xido met\u00e1lico y avalancha controlada en uniones semiconductoras.<\/p>\n\n\n\n
Este art\u00edculo analiza, a nivel de ingenier\u00eda el\u00e9ctrica, c\u00f3mo act\u00faan los principales elementos internos utilizados en DPS de baja tensi\u00f3n y en protecci\u00f3n fina de se\u00f1ales: descargadores, GDT, varistores MOV, diodos TVS\/avalancha y arreglos h\u00edbridos. El enfoque es funcional y f\u00edsico, conectando el comportamiento del componente con los par\u00e1metros normativos utilizados en dise\u00f1o y ensayo, como Uc<\/em>, Up<\/em>, Iimp<\/em>, In<\/em>, Uoc<\/em>, TOV y coordinaci\u00f3n energ\u00e9tica.<\/p>\n\n\n\n Conocer la tecnolog\u00eda interna, sin embargo, no hace suficiente la simple instalaci\u00f3n del componente. El desempe\u00f1o real depende del dise\u00f1o de la protecci\u00f3n, del esquema TN, TT o IT, de la corriente de cortocircuito prevista, de la protecci\u00f3n de respaldo, de la puesta a tierra, de la equipotencializaci\u00f3n, de la integraci\u00f3n con el SPDA\/MPS y de la geometr\u00eda de las conexiones. En instalaciones existentes, fallas recurrentes o DPS degradados tambi\u00e9n pueden indicar problemas de la propia infraestructura el\u00e9ctrica, que deben diagnosticarse y corregirse antes de sustituirlos por otro dispositivo.<\/p>\n\n\n\n Un DPS es, en esencia, un camino controlado para corriente transitoria. Se instala en paralelo con el circuito o equipo a proteger, entre conductores activos, entre conductor activo y PE, entre neutro y PE, o entre l\u00edneas de se\u00f1al y una referencia, seg\u00fan el modo de protecci\u00f3n previsto. En r\u00e9gimen permanente, el DPS debe presentar alta impedancia, baja corriente de fuga y soportar la m\u00e1xima tensi\u00f3n continua de la red. Durante una sobretensi\u00f3n, su impedancia cae de forma abrupta o progresiva, creando un desv\u00edo para la corriente impulsiva.<\/p>\n\n\n\n El objetivo no es \u201cabsorber\u201d toda la energ\u00eda del rayo en el sentido simplificado del t\u00e9rmino. El objetivo es limitar la diferencia de potencial en los terminales del equipo protegido a un valor compatible con su soportabilidad diel\u00e9ctrica y conducir la corriente de impulso por un camino de baja impedancia y baja inductancia hasta la equipotencializaci\u00f3n, PE, barra de tierra u otro conductor de referencia.<\/p>\n\n\n\n Desde el punto de vista de ensayo y especificaci\u00f3n, tres formas de onda son recurrentes:<\/p>\n\n\n\n En la pr\u00e1ctica, el DPS debe responder a sobretensiones en modo com\u00fan, cuando aparecen entre conductores activos y tierra, y en modo diferencial, cuando aparecen entre conductores activos entre s\u00ed, como fase-neutro o entre conductores de se\u00f1al.<\/p>\n\n\n\n Los componentes internos de un DPS pueden clasificarse por su comportamiento el\u00e9ctrico durante la sobretensi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n Los descargadores y tubos de descarga a gas son dispositivos de voltage switching<\/em>. Antes del disparo presentan impedancia muy alta. Cuando la tensi\u00f3n supera una determinada condici\u00f3n de ruptura, pasan r\u00e1pidamente a un estado conductivo, muchas veces con tensi\u00f3n residual relativamente baja, sostenida por un arco o descarga gaseosa. Este comportamiento se parece al de un interruptor que cierra durante la sobretensi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n La ventaja es la elevada capacidad de conducci\u00f3n de corriente impulsiva, especialmente en aplicaciones de entrada de instalaci\u00f3n y DPS Tipo 1. La desventaja es la necesidad de controlar la corriente subsecuente de la red, es decir, la corriente de frecuencia industrial que puede continuar circulando despu\u00e9s de que termina la sobretensi\u00f3n. Por eso son cr\u00edticos par\u00e1metros como capacidad de extinci\u00f3n de corriente subsecuente, coordinaci\u00f3n con protecci\u00f3n aguas arriba y soportabilidad al cortocircuito.<\/p>\n\n\n\n Los varistores MOV y diodos TVS\/avalancha son dispositivos de voltage limiting<\/em>. No \u201ccierran\u201d como un interruptor ideal. Su corriente crece de forma fuertemente no lineal cuando la tensi\u00f3n alcanza una regi\u00f3n de conducci\u00f3n. El resultado es el recorte de la tensi\u00f3n en un nivel dependiente de la corriente, de la energ\u00eda del pulso, de la temperatura y de la tecnolog\u00eda del componente.<\/p>\n\n\n\n La ventaja es la velocidad de respuesta y, en general, la ausencia de corriente subsecuente sostenida como en los descargadores. La desventaja es que estos componentes disipan energ\u00eda internamente y envejecen por esfuerzo t\u00e9rmico, pulsos repetitivos y sobretensiones temporales.<\/p>\n\n\n\n El descargador es el elemento m\u00e1s cl\u00e1sico de protecci\u00f3n contra sobretensiones de alta energ\u00eda. Consiste en dos o m\u00e1s electrodos separados por un medio diel\u00e9ctrico, normalmente aire o gas, con geometr\u00eda dise\u00f1ada para soportar la tensi\u00f3n de operaci\u00f3n continua y disparar cuando el campo el\u00e9ctrico supera la rigidez diel\u00e9ctrica del medio.<\/p>\n\n\n\n En r\u00e9gimen normal, la distancia entre electrodos impide una conducci\u00f3n significativa. Durante una sobretensi\u00f3n, aumenta el campo el\u00e9ctrico en el espacio. Al alcanzar la condici\u00f3n de ruptura, los electrones libres son acelerados, chocan con mol\u00e9culas neutras y generan ionizaci\u00f3n adicional. Este proceso de multiplicaci\u00f3n forma un canal conductor. A partir de ah\u00ed, la tensi\u00f3n entre electrodos cae hasta una tensi\u00f3n de arco relativamente baja mientras la corriente impulsiva atraviesa el descargador.<\/p>\n\n\n\n La din\u00e1mica del descargador puede dividirse en cuatro fases:<\/p>\n\n\n\n El punto sensible es la extinci\u00f3n. En una instalaci\u00f3n de baja tensi\u00f3n, despu\u00e9s del impulso, la propia red puede alimentar la descarga. Esta corriente subsecuente no es la sobretensi\u00f3n; es corriente de la fuente de alimentaci\u00f3n sosteniendo el arco. Por eso, los descargadores modernos incorporan c\u00e1maras de extinci\u00f3n, geometr\u00edas que alargan o dividen el arco, materiales resistentes a la erosi\u00f3n y mecanismos de limitaci\u00f3n de corriente subsecuente.<\/p>\n\n\n\n En DPS Tipo 1, el descargador es valioso porque puede conducir corrientes con forma 10\/350 \u00b5s, de alta carga y energ\u00eda espec\u00edfica. Como contrapartida, su coordinaci\u00f3n con fusibles, disyuntores, dispositivos diferenciales y DPS aguas abajo debe verificarse y no suponerse.<\/p>\n\n\n\n El tubo de descarga a gas, o GDT, es un descargador encapsulado. Dos o tres electrodos se sellan en una c\u00e1psula cer\u00e1mica o v\u00edtrea que contiene gas a presi\u00f3n y composici\u00f3n controladas. Mientras la tensi\u00f3n permanece por debajo de la tensi\u00f3n de disparo, el GDT presenta resistencia de aislamiento extremadamente alta y capacitancia muy baja. Por eso es com\u00fan en l\u00edneas de telecomunicaciones, datos, instrumentaci\u00f3n y protecci\u00f3n de se\u00f1ales, donde la capacitancia par\u00e1sita no puede degradar la transmisi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n Cuando la tensi\u00f3n aplicada supera el umbral de ignici\u00f3n, el gas se ioniza y el componente entra en conducci\u00f3n. La tensi\u00f3n en los terminales cae hasta la tensi\u00f3n de arco o de descarga luminiscente, permitiendo conducir corrientes impulsivas relativamente altas para el volumen f\u00edsico del dispositivo.<\/p>\n\n\n\n Hay tres caracter\u00edsticas importantes:<\/p>\n\n\n\n Por estas razones, los GDT aparecen frecuentemente en arreglos h\u00edbridos: el GDT conduce la parte de alta energ\u00eda con baja capacitancia, mientras MOV o TVS reducen la tensi\u00f3n residual y mejoran la velocidad de recorte.<\/p>\n\n\n\n El varistor de \u00f3xido met\u00e1lico, normalmente basado en ZnO, es el elemento m\u00e1s com\u00fan en DPS Tipo 2 de baja tensi\u00f3n y en muchas protecciones Tipo 3. Su comportamiento se debe a la microestructura cer\u00e1mica. El material est\u00e1 formado por granos semiconductores de \u00f3xido de zinc separados por regiones de borde de grano con caracter\u00edsticas de barrera. No se comporta como un resistor lineal; su curva tensi\u00f3n-corriente es altamente no \u00f3hmica.<\/p>\n\n\n\n Una aproximaci\u00f3n cl\u00e1sica para la regi\u00f3n de conducci\u00f3n es:<\/p>\n\n\n\n donde \u03b1<\/em> es el coeficiente de no linealidad. Cuanto mayor es \u03b1<\/em>, m\u00e1s abrupta es la transici\u00f3n entre el estado de baja fuga y el estado conductivo. En r\u00e9gimen normal, la corriente de fuga es peque\u00f1a. Durante la sobretensi\u00f3n, m\u00faltiples barreras de grano entran en conducci\u00f3n, la corriente crece r\u00e1pidamente y la tensi\u00f3n queda limitada a una tensi\u00f3n residual dependiente de la corriente impulsiva.<\/p>\n\n\n\n El MOV tiene respuesta muy r\u00e1pida, pero la energ\u00eda se disipa dentro del propio volumen cer\u00e1mico. El calentamiento ocurre por efecto Joule y puede agravarse por repetici\u00f3n de pulsos, sobretensi\u00f3n temporal, envejecimiento de las barreras y aumento progresivo de la corriente de fuga. El modo de falla cr\u00edtico es la inestabilidad t\u00e9rmica: aumenta la temperatura, aumenta la corriente de fuga, crece la disipaci\u00f3n y el proceso puede realimentarse.<\/p>\n\n\n\n Por este motivo, los DPS basados en MOV normalmente incorporan desconectadores t\u00e9rmicos, indicadores de estado y, seg\u00fan el dise\u00f1o, coordinaci\u00f3n con protecci\u00f3n contra sobrecorriente. La norma de producto trata expresamente el comportamiento frente a sobrecarga, desconectadores, indicadores, TOV y modos de falla.<\/p>\n\n\n\n En aplicaciones, el MOV es excelente para limitar sobretensiones 8\/20 \u00b5s y formar DPS Tipo 2. Tambi\u00e9n puede aparecer en DPS Tipo 1 combinados, pero cuando la aplicaci\u00f3n exige conducir corriente parcial de rayo con forma 10\/350 \u00b5s, la arquitectura debe dise\u00f1arse y ensayarse espec\u00edficamente para ello.<\/p>\n\n\n\n Los diodos TVS, frecuentemente llamados diodos de avalancha en aplicaciones de sobretensiones, utilizan una uni\u00f3n semiconductora dise\u00f1ada para operar de forma controlada en la regi\u00f3n de ruptura inversa. Cuando la tensi\u00f3n inversa supera el valor especificado, la uni\u00f3n comienza a conducir intensamente y limita la tensi\u00f3n aplicada al circuito protegido.<\/p>\n\n\n\n El mecanismo puede involucrar efecto Zener, avalancha o una transici\u00f3n entre ambos, seg\u00fan la tensi\u00f3n de ruptura y el perfil de dopaje. A tensiones m\u00e1s bajas, el tunelamiento Zener es m\u00e1s relevante; a tensiones m\u00e1s altas domina la multiplicaci\u00f3n por avalancha, en la que portadores acelerados por el campo el\u00e9ctrico generan nuevos pares electr\u00f3n-hueco por ionizaci\u00f3n de impacto.<\/p>\n\n\n\n El TVS es extremadamente r\u00e1pido y ofrece baja tensi\u00f3n residual en comparaci\u00f3n con GDT y muchos MOV. Por ello resulta adecuado para protecci\u00f3n fina de interfaces electr\u00f3nicas, alimentaciones de baja energ\u00eda, l\u00edneas de comunicaci\u00f3n, entradas de sensores y circuitos digitales. La limitaci\u00f3n es la energ\u00eda soportable. Un TVS no sustituye un DPS de entrada frente a corrientes de rayo; es una etapa final de protecci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n Tres par\u00e1metros deben observarse en circuitos de se\u00f1al:<\/p>\n\n\n\n En protecci\u00f3n de datos, es com\u00fan combinar GDT para mayor energ\u00eda, impedancia serie o elemento de desacoplamiento, y TVS pr\u00f3ximo al equipo para reducir la tensi\u00f3n residual final.<\/p>\n\n\n\n Ning\u00fan componente resuelve simult\u00e1neamente todos los requisitos. El descargador soporta alta energ\u00eda, pero tiene disparo menos preciso y puede exigir control de corriente subsecuente. El GDT tiene baja capacitancia, pero puede presentar tensi\u00f3n din\u00e1mica de disparo alta. El MOV es r\u00e1pido y robusto, pero envejece por energ\u00eda y TOV. El TVS es muy r\u00e1pido y preciso, pero soporta menos energ\u00eda.<\/p>\n\n\n\n Por eso, muchos DPS reales son h\u00edbridos. Un arreglo t\u00edpico distribuye funciones:<\/p>\n\n\n\n La coordinaci\u00f3n energ\u00e9tica significa que cada etapa debe conducir \u00fanicamente la porci\u00f3n de energ\u00eda para la cual fue dise\u00f1ada. Si la etapa fina act\u00faa antes que la etapa de potencia, puede destruirse. Si la etapa de potencia presenta tensi\u00f3n residual demasiado alta, puede fallar el equipo protegido. Si no hay suficiente desacoplamiento, los dispositivos pueden competir entre s\u00ed en lugar de cooperar.<\/p>\n\n\n\n \u00bfLa instalaci\u00f3n exige combinar Clase I, II, III o tecnolog\u00edas diferentes en varios cuadros?<\/strong><\/p>\n\n\n El Proyecto de Medidas de Protecci\u00f3n contra Sobretensiones (MPS)<\/a> transforma la selecci\u00f3n de MOV, descargadores, GDT y etapas de protecci\u00f3n en una arquitectura coordinada con la instalaci\u00f3n el\u00e9ctrica, la puesta a tierra, la equipotencializaci\u00f3n, el SPDA y las cargas protegidas.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n La selecci\u00f3n t\u00e9cnica de DPS no debe basarse \u00fanicamente en \u201ckA\u201d del cat\u00e1logo. Los par\u00e1metros relevantes describen diferentes limitaciones f\u00edsicas y normativas.<\/p>\n\n\n\n En instalaciones reales, la inductancia de los conductores de conexi\u00f3n puede aumentar la tensi\u00f3n que realmente ve el equipo. Incluso un DPS con buen Up<\/em> puede ofrecer protecci\u00f3n deficiente si se instala con cables largos, grandes lazos o una puesta a tierra\/equipotencializaci\u00f3n inadecuada. En sobretensiones con alta tasa de crecimiento de corriente, pocos cent\u00edmetros de conductor ya a\u00f1aden una ca\u00edda inductiva relevante.<\/p>\n\n\n\n La ABNT NBR IEC 61643-11 trata el DPS como un conjunto completo y no solo como el componente no lineal principal. El producto puede incorporar o exigir desconectadores internos, externos o ambos<\/strong>, con funciones t\u00e9rmicas, de corriente de fuga y de sobrecorriente. Esto es esencial porque un MOV degradado puede entrar en inestabilidad t\u00e9rmica y un DPS sometido a una falla puede necesitar desconectarse de la red antes de que se establezca una condici\u00f3n peligrosa.<\/p>\n\n\n\n El ISCCR<\/strong> representa la corriente de cortocircuito prevista m\u00e1xima para la cual se establecen las caracter\u00edsticas nominales del DPS asociado al desconectador especificado. Por tanto, la tecnolog\u00eda interna y el dispositivo de respaldo forman parte de la misma condici\u00f3n de seguridad. En DPS conmutadores tambi\u00e9n puede ser relevante la corriente subsecuente If<\/strong> y su capacidad nominal de interrupci\u00f3n Ifi<\/strong>, porque la propia fuente puede seguir alimentando el camino conductivo despu\u00e9s del impulso.<\/p>\n\n\n\n La norma tambi\u00e9n exige indicaci\u00f3n del estado operativo. Esta indicaci\u00f3n puede ser local y, en determinados productos, complementarse mediante un contacto de salida para supervisi\u00f3n remota. El indicador informa que el dispositivo o parte de \u00e9l dej\u00f3 de cumplir su funci\u00f3n, pero no identifica por s\u00ed solo la causa de la falla. TOV, corriente superior a la capacidad, degradaci\u00f3n acumulativa, cortocircuito disponible, error de aplicaci\u00f3n y problemas de puesta a tierra o equipotencializaci\u00f3n deben investigarse por separado.<\/p>\n\n\n\n En dispositivos multipolares, la corriente total de descarga ITotal<\/strong> tambi\u00e9n puede ser relevante, especialmente cuando varios modos de protecci\u00f3n conducen simult\u00e1neamente y el conjunto participa de la equipotencializaci\u00f3n asociada a descargas atmosf\u00e9ricas.<\/p>\n\n\n\n Todo DPS debe tratarse como componente sujeto a envejecimiento. Los mecanismos var\u00edan seg\u00fan la tecnolog\u00eda.<\/p>\n\n\n\n MOV<\/strong> tienden a degradarse por pulsos repetidos, TOV, calentamiento y aumento de corriente de fuga. El dise\u00f1o debe prever desconexi\u00f3n t\u00e9rmica o un modo de falla seguro.<\/p>\n\n\n\n Descargadores<\/strong> sufren erosi\u00f3n de electrodos, alteraci\u00f3n de la geometr\u00eda de disparo y desgaste por arco. La capacidad de extinci\u00f3n y la soportabilidad a m\u00faltiples impulsos son puntos cr\u00edticos.<\/p>\n\n\n\n GDT<\/strong> pueden sufrir variaci\u00f3n de la tensi\u00f3n de disparo por envejecimiento, contaminaci\u00f3n interna, desgaste de electrodos y cantidad acumulada de descargas.<\/p>\n\n\n\n TVS<\/strong> puede fallar en cortocircuito, circuito abierto o por alteraci\u00f3n param\u00e9trica cuando se somete a energ\u00eda superior a la especificaci\u00f3n. En interfaces cr\u00edticas, la protecci\u00f3n en cascada es m\u00e1s segura que depender exclusivamente del semiconductor.<\/p>\n\n\n\n Indicadores visuales, contactos remotos, inspecciones peri\u00f3dicas y ensayos apropiados forman parte de la estrategia de disponibilidad. En sistemas cr\u00edticos, la protecci\u00f3n contra sobretensiones debe mantenerse como subsistema de seguridad y continuidad operativa, no como accesorio desechable.<\/p>\n\n\n\n \u00bfHay DPS con indicaci\u00f3n de falla, degradaci\u00f3n recurrente o equipos da\u00f1\u00e1ndose incluso despu\u00e9s de sustituciones?<\/strong><\/p>\n\n\n La Inspecci\u00f3n, Diagn\u00f3stico y Adecuaci\u00f3n de DPS y MPS<\/a> investiga TOV, Uc, respaldo, cortocircuito disponible, estado de los dispositivos, puesta a tierra, equipotencializaci\u00f3n, coordinaci\u00f3n y modificaciones de la instalaci\u00f3n para distinguir el fin de vida del componente de una causa sist\u00e9mica.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n El concepto de Zonas de Protecci\u00f3n contra Rayos \u2014 ZPR<\/strong> organiza la instalaci\u00f3n en fronteras de distinta severidad electromagn\u00e9tica. En las fronteras entre zonas, conductores met\u00e1licos, l\u00edneas de energ\u00eda y l\u00edneas de se\u00f1al deben equipotencializarse directa o indirectamente mediante DPS adecuados. Esta l\u00f3gica evita que la sobretensi\u00f3n atraviese la instalaci\u00f3n buscando camino a trav\u00e9s de los equipos.<\/p>\n\n\n\n La protecci\u00f3n efectiva depende de tres pilares:<\/p>\n\n\n\n Sin equipotencializaci\u00f3n adecuada, el DPS puede conducir corriente pero no necesariamente limitar la diferencia de potencial en el punto que importa. En protecci\u00f3n contra sobretensiones, el layout el\u00e9ctrico forma parte del componente.<\/p>\n\n\n\n \u00bfEl DPS es correcto en cat\u00e1logo, pero la referencia de PE, BEP\/BEL o el sistema de puesta a tierra no est\u00e1 t\u00e9cnicamente caracterizado?<\/strong><\/p>\n\n\n El Proyecto de Puesta a Tierra<\/a> permite verificar continuidad, equipotencializaci\u00f3n y caminos de corriente asociados a la protecci\u00f3n contra sobretensiones, compatibilizando esta infraestructura con el proyecto el\u00e9ctrico y las MPS.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n El DPS es un sistema de ingenier\u00eda condensado en pocos cent\u00edmetros: f\u00edsica de descargas, semiconductores, materiales cer\u00e1micos, coordinaci\u00f3n de aislamiento, compatibilidad electromagn\u00e9tica, puesta a tierra y normas de ensayo convergen en el mismo dispositivo.<\/p>\n\n\n\n Descargadores y GDT act\u00faan por ruptura diel\u00e9ctrica y formaci\u00f3n de un canal ionizado, por lo que son adecuados para altas corrientes y etapas de entrada. Los varistores MOV act\u00faan por conducci\u00f3n no lineal en barreras de grano, ofreciendo buena capacidad de limitaci\u00f3n en baja tensi\u00f3n, pero exigiendo control de envejecimiento y TOV. Los diodos TVS\/avalancha protegen el nivel m\u00e1s sensible, con respuesta muy r\u00e1pida y baja tensi\u00f3n residual, aunque con menor capacidad energ\u00e9tica.<\/p>\n\n\n\n La protecci\u00f3n robusta rara vez depende de un \u00fanico componente. Nace de la coordinaci\u00f3n entre tecnolog\u00edas, del cumplimiento de par\u00e1metros normativos y de una instalaci\u00f3n que preserve baja impedancia impulsiva. En sobretensiones, el detalle f\u00edsico decide el desempe\u00f1o el\u00e9ctrico.<\/p>\n\n\n\n Nota t\u00e9cnica:<\/em> el dimensionamiento y la instalaci\u00f3n de DPS en cuadros energizados deben ser realizados por profesional habilitado, con evaluaci\u00f3n del esquema de puesta a tierra, corriente de cortocircuito prevista, categor\u00eda de sobretensi\u00f3n, coordinaci\u00f3n con protecciones aguas arriba y requisitos normativos aplicables.<\/p>\n\n\n\n [1] ASSOCIA\u00c7\u00c3O BRASILEIRA DE NORMAS T\u00c9CNICAS. ABNT NBR IEC 61643-11 \u2014 Dispositivos de protecci\u00f3n contra sobretensiones de baja tensi\u00f3n \u2014 Parte 11: requisitos y m\u00e9todos de ensayo.<\/strong> Consulte la versi\u00f3n vigente en el Cat\u00e1logo ABNT<\/a>.<\/p>\n\n\n\n [2] INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION. IEC 61643-11 \u2014 Low-voltage surge protective devices \u2014 Requirements and test methods for SPDs connected to low-voltage power systems.<\/strong> Consulte la publicaci\u00f3n oficial en la IEC Webstore<\/a>.<\/p>\n\n\n\n [3] INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION. IEC 62305-4 \u2014 Protection against lightning \u2014 Electrical and electronic systems within structures.<\/strong> Consulte la publicaci\u00f3n oficial en la IEC Webstore<\/a>.<\/p>\n\n\n\n [4] ASSOCIA\u00c7\u00c3O BRASILEIRA DE NORMAS T\u00c9CNICAS. ABNT NBR 5410 \u2014 Instalaciones el\u00e9ctricas de baja tensi\u00f3n.<\/strong> Consulte la edici\u00f3n vigente en el Cat\u00e1logo ABNT<\/a>.<\/p>\n\n\n\n [5] ASSOCIA\u00c7\u00c3O BRASILEIRA DE NORMAS T\u00c9CNICAS. ABNT NBR 5419 \u2014 Protecci\u00f3n contra descargas atmosf\u00e9ricas.<\/strong> Consulte la serie vigente en el Cat\u00e1logo ABNT<\/a>.<\/p>\n<\/details>\n\n\n\n Los descargadores act\u00faan por ruptura diel\u00e9ctrica y conducen corrientes impulsivas elevadas; los MOV limitan tensi\u00f3n por conducci\u00f3n no lineal y son comunes en DPS de baja tensi\u00f3n; los diodos TVS ofrecen protecci\u00f3n fina y r\u00e1pida para circuitos electr\u00f3nicos, pero con menor capacidad energ\u00e9tica.<\/p><\/div> El GDT es un tubo de descarga a gas que permanece con alta impedancia en r\u00e9gimen normal y conduce cuando la tensi\u00f3n provoca ionizaci\u00f3n del gas. Su baja capacitancia lo hace especialmente \u00fatil en telecomunicaciones, datos e instrumentaci\u00f3n.<\/p><\/div> Cada etapa enfrenta niveles de energ\u00eda y requisitos de limitaci\u00f3n diferentes. La arquitectura puede combinar elementos de alta capacidad de corriente con componentes de menor tensi\u00f3n residual para obtener coordinaci\u00f3n energ\u00e9tica entre entrada, distribuci\u00f3n y protecci\u00f3n fina.<\/p><\/div> S\u00ed. Pulsos repetitivos, sobretensiones temporales y calentamiento pueden modificar sus caracter\u00edsticas y aumentar la corriente de fuga. Por eso, los DPS basados en MOV normalmente incorporan mecanismos de desconexi\u00f3n t\u00e9rmica e indicaci\u00f3n de estado.<\/p><\/div> No. El desempe\u00f1o tambi\u00e9n depende de la impedancia de las conexiones, del esquema de puesta a tierra, de la equipotencializaci\u00f3n y de la coordinaci\u00f3n entre etapas de protecci\u00f3n. Un DPS correctamente especificado puede proteger mal si se instala con conexiones inadecuadas.<\/p><\/div><\/div>\n<\/details>\n\n\n\n Art\u00edculo t\u00e9cnico sobre la actuaci\u00f3n el\u00e9ctrica de los principales componentes utilizados en dispositivos de protecci\u00f3n contra sobretensiones: descargadores, tubos de descarga a gas, varistores de \u00f3xido met\u00e1lico, diodos TVS\/avalancha y topolog\u00edas h\u00edbridas.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"parent":0,"template":"","meta":{"_a3a_global_related_solutions":[],"_a3a_global_related_services":[],"_a3a_global_related_materials":[],"_a3a_post_lang":"es-es","_a3a_translation_group_id":"348a5ea4-e937-4e2f-8e23-8712b84022fd","_a3a_i18n_canonical_slug":"componentes-internos-dps-descargadores-gdt-varistores-diodos-avalancha"},"categories":[],"segments":[],"mercados":[],"etapas":[],"class_list":["post-72418","articles","type-articles","status-publish","hentry"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/articles\/72418","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/articles"}],"about":[{"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/articles"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/articles\/72418\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":72428,"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/articles\/72418\/revisions\/72428"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=72418"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=72418"},{"taxonomy":"segments","embeddable":true,"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/segments?post=72418"},{"taxonomy":"mercados","embeddable":true,"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/mercados?post=72418"},{"taxonomy":"etapas","embeddable":true,"href":"https:\/\/a3aengenharia.com\/es-es\/wp-json\/wp\/v2\/etapas?post=72418"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}Qu\u00e9 hace realmente el DPS en el circuito<\/h2>\n\n\n\n
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Dos familias de comportamiento: conmutaci\u00f3n y limitaci\u00f3n de tensi\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n
Componentes conmutadores de tensi\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n
Componentes limitadores de tensi\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n
Descargadores: ruptura diel\u00e9ctrica y arco controlado<\/h2>\n\n\n\n
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Tubos de descarga a gas, GDT<\/h2>\n\n\n\n
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Varistores MOV: conducci\u00f3n no lineal en \u00f3xido met\u00e1lico<\/h2>\n\n\n\n
I = k \u00b7 V^\u03b1<\/code><\/p>\n\n\n\nDiodos TVS y de avalancha: protecci\u00f3n fina de semiconductores<\/h2>\n\n\n\n
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Arquitecturas h\u00edbridas: por qu\u00e9 combinar tecnolog\u00edas<\/h2>\n\n\n\n
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Par\u00e1metros el\u00e9ctricos que conectan componente y norma<\/h2>\n\n\n\n
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Desconectadores, ISCCR, corriente subsecuente e indicador de estado<\/h2>\n\n\n\n
Modos de falla y envejecimiento<\/h2>\n\n\n\n
Integraci\u00f3n con ZPR, puesta a tierra y equipotencializaci\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n
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Conclusi\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n
Referencias t\u00e9cnicas<\/summary>\n
Preguntas frecuentes<\/summary>\n
Materiales t\u00e9cnicos complementarios<\/summary>\n
Soluciones relacionadas<\/h3>\n\n
Servicios de ingenier\u00eda relacionados<\/h3>\n
Contenidos t\u00e9cnicos relacionados<\/h3>\n
Gu\u00edas y referencias<\/h3>\n